研究兴趣

• 1998年至今:宽带隙材料及器件，iii -氮化物功率微波器件及集成电路
• 1971-1998: Gunn效应器件，GaAs fet，微波和光学集成电路，半导体激光器

教育

• MS, EE:列宁格勒电工学院，列宁格勒，俄罗斯，1971年
• 博士，物理学:半导体和电介质，GIRICOND科学研究所，列宁格勒，俄罗斯，1979年

代表的出版物

• R. Gaska, M. Gaevski, R. Jain, J. Deng, M. Islam, G. Simin, M. Shur，新型AlInN/GaN集成电路工作到500 C，固体电子113 (2015)22-27
• M. Gaevski, J. Deng, A. Dobrinsky, R. Gaska, M. Shur, G. Simin，低导电涂层GaN功率hfet的静态和瞬态特性，物理学报。Solidi C 11, No. 3-4, 866-870 (2014)
• M. Gaevski, J. Deng, R. Gaska, M. Shur, G. Simin, GaN微波变容器与绝缘电极，物理。Solidi C 11, No. 3-4, 898-901 (2014)
• 司敏，G.S.;伊斯兰教;加夫斯基;邓，J.;加斯卡;Shur, m.s.，低rc常数穿孔通道hft, IEEE电子器件通讯，第35卷，第4期，pp: 449 - 451 (2014)
• G Simin, F Jahan, J Yang, M Gaevski, X Hu, J Deng, R Gaska和M Shur, iii氮化物微波控制器件和集成电路，半导体。科学。技术28 (2013)074008 (8pp)
• F.贾汉，Y.-H。杨,M。Gaevski, J. Deng, R. Gaska, M. Shur和G. Simin，基于iii氮化物电容耦合接触变容器的2- 20ghz开关，IEEE电子发展，第二十。， V.34, pp 208-210 (2013)
• F. Jahan, M. Gaevski, J. Deng, R. Gaska, M. Shur和G. Simin，使用电容耦合接触iii -氮化物变容器的射频功率限制器，电子通讯，第48卷第23期，pp. 1480-1481 (2012)
• B.M. Khan, g.s. Simin，场效应晶体管的三阶非线性补偿，电子。列托人。V. 47，第24期，第1343 - 1345页(2011)

代表演讲

• kaser Ahmed, Stephen R. Anderson, Michael R. Giordano, M. Islam, G. Simin，和M. Shur，不同衬底上III-N HEMTs的热击穿，2016年Lester Eastman高性能器件会议，2016年8月2 - 4日，利哈伊大学，宾夕法尼亚州，美国
• M. Islam, G. Simin, N. Tipirneni, J. Joh, V. Krishnamurthy, S. Pendharkar, Si衬底上功率GaN HEMT漏漏电流机制和模型，2015年化合物半导体制造技术国际会议(CSMANTECH-2015)， 2015年5月18日至21日，斯科茨代尔凯悦酒店，斯科茨代尔盖尼牧场度假酒店，亚利桑那州，美国
• M. Shur, M. Gaevski, R. Gaska, G. Simin, H. Wong, N. Braga, R. Mickevicius，(特邀)穿孔通道hft开关的功率损耗降低，电子学报，2015 66(1):179-183;doi: 10.1149/06601.0179科普
• M. Shur, G. Simin, R. Gaska，高功率氮基场效应晶体管的新方法(邀请)，电子学报，2014 64(17):29-34;2014 ECS和SMEQ联合国际会议，2014年10月5日- 2014年10月9日，墨西哥坎昆
• M. Shur, M. Gaevski, J. Deng, R. Gaska, H. Wong, N. Braga, V. Mickevicius和G. Simin，穿孔通道hft的优越频率特性，Lester Eastman高性能器件会议，2014年8月5 - 7日，康奈尔大学，p. s1 - p4
• G. Simin, GaN体电导对硅hft器件性能的影响，WOCSEMMAD 2015, 2015年2月16-19日，野生沙丘，棕榈岛，SC
• M. Islam, G. Simin，硅上大电流功率GaN hfet, WOCSEMMAD 2015, 2015年2月16-19日，野生沙丘，棕榈岛，SC

课程

• ELCT 102 -电学讲座
• ELCT 221 -电路讲座
• ELCT 563 -半导体器件讲座
• ELCT 566 -光电子器件讲座(2008)
• ELCT 871 -半导体器件进展讲座(邓思敏- 2006)
• ELCT 882 -高速半导体器件讲座(2005)

任命

• 2011年至今:南卡罗来纳大学终身教授bob官方体育登陆
• 2005-2011:南卡罗来纳大学终身副教授bob官方体育登陆
• 2001-2005:南卡罗来纳大学终身副教授bob官方体育登陆
• 1998-2001:美国南卡罗来纳大学副教授bob官方体育登陆
• 1997-1998:俄罗斯圣彼得堡俄罗斯科学院A. F. Ioffe物理技术研究所高级研究科学家
• 1971-1997年，俄罗斯圣彼得堡列宁格勒市电子工业部GIRICOND科学研究所高级研究科学家

会员、荣誉和专业服务

• IEEE高级会员
• 蒙戈本科教学奖，南加州大学，2008年
• 研究进步奖，COEIT，南加州大学2005年4月
• 畅销书，2002年。列出由M.E. Levinshtein和g.s. Simin所著的《了解半导体》一书
• Asif Khan, J. W. Yang, G. Simin, R. Gaska和M. S. Shur，“应变能带工程方法在AlN/GaN/InN异质结器件中的应用”
• 鲁扬采夫，舒尔，加斯卡，M.E。Levinshtein, M. A. Khan, G. Simin, J. W. Yang，“氮化镓场效应晶体管的低频噪声”
• 苏联部长理事会最高分类委员会颁发的高级科学家证书，1985年
• 2003年至今:南加州大学工程与计算学院(CEC)教师招聘委员会主席
• CEC教师招聘委员会成员，涉及计算纳米科学，光电，大脑可塑性
• 电子工程系本科生和研究生咨询委员会成员
• 主编，IEEE传感器委员会网站
• IEEE期刊应用物理学审稿人。通讯，杂志应用。物理，固体电子学，电子字母等